Plazmowy oczyszczacz powietrza (System oczyszczania gazu plazmowego)

Zasada działania niskotemperaturowego-oczyszczania plazmowego

Kiedy plazma-niskotemperaturowa jest wykorzystywana do rozkładu substancji zanieczyszczających, takich jak mgła olejowa i gazy odlotowe z przemysłu, jony zawarte w plazmie odgrywają decydującą rolę. Jony-podobne do meteorytów ulegają niesprężystym zderzeniom z cząsteczkami zanieczyszczeń, przekształcając energię w energię wewnętrzną cząsteczek stanu podstawowego (atomów). Uruchamia to szereg procesów, w tym wzbudzenie, dysocjację i jonizację, powodując przejście substancji zanieczyszczających w stan aktywowany.

Pod działaniem plazmy aktywowane cząsteczki zanieczyszczeń generują reaktywne wolne rodniki. Te aktywowane cząsteczki są następnie usuwane w drodze kierunkowych łańcuchowych reakcji chemicznych indukowanych przez plazmę. Kiedy średnia energia jonów przekracza energię wiązań chemicznych cząsteczek zanieczyszczeń, łańcuchy molekularne pękają, co powoduje rozkład zanieczyszczeń, które następnie są gromadzone przez pole adsorpcyjne wewnątrz generatora plazmy.

W plazmie nisko-temperaturowej mogą zachodzić różne reakcje chemiczne, zależne głównie od czynników takich jak średnia energia plazmy, gęstość jonów, temperatura gazu, stężenie substancji zanieczyszczających i skład współistniejących substancji.

Mechanizm degradacji zanieczyszczeń gazowych

Plazma-niskotemperaturowa zapewnia energię wystarczającą do wytworzenia wolnych rodników i wywołania szeregu złożonych reakcji fizycznych i chemicznych. Reakcje fizykochemiczne wywoływane przez plazmę nisko-temperaturową obejmują jonizację, dysocjację, wzbudzenie, wiązania międzycząsteczkowe i reakcje addycji zachodzące w fazie gazowej.

Energia ta jest wystarczająca do rozerwania większości wiązań chemicznych w gazowych substancjach zanieczyszczających, rozkładając w ten sposób i rozkładając szkodliwe substancje.

Proces oczyszczania i skład systemu

Aby poprawić skuteczność oczyszczania powietrza, wybiera się urządzenie oczyszczające o wyższym prądzie wyładowań koronowych. System łączyimpulsowe wyładowania koronowe,-technologia plazmy niskotemperaturowejztechnologia adsorpcyjnado obróbki gazów.

Wśród nich:

Siarkowodór (H₂S)

Amoniak (NH₃)

Benzen

Toluen

Ksylen

Formaldehyd

Aceton

Związki uretanowe

Żywice

Inne lotne związki organiczne (LZO)

Dwutlenek węgla (CO₂)

Ozon (O₃)

System oczyszczania składa się zazwyczaj z:

Jednostka-filtra wstępnego

Generator plazmy niskotemperaturowej-

Jednostka filtracyjna

System wentylatorów

Elementy pomocnicze i akcesoria

Mechanizm utleniania plazmy

Elektrony pierwotne są przyspieszane w polu elektrycznym i zderzają się z cząsteczkami tlenu w powietrzu. Kiedy energia przekracza potencjał jonizacji cząsteczek tlenu, następuje jonizacja.

Cząsteczki tlenu, które tracą elektrony, stają się dodatnio naładowanymi jonami tlenu (O₂⁺), podczas gdy uwolnione elektrony łączą się z obojętnymi cząsteczkami tlenu, tworząc ujemnie naładowane jony tlenu (O₂⁻). W rezultacie jony tlenu agregują w skupiska jonów, takie jakO₂⁺, O₂⁻ i O₂, posiadający silne właściwości utleniające.

Te wysoce reaktywne klastry tlenu mogą szybko utleniać i rozkładać zanieczyszczenia w zanieczyszczonym powietrzu na nieszkodliwe produkty końcowe, takie jakdwutlenek węgla, związki drobnocząsteczkowe i woda (H₂O)w bardzo krótkim czasie.

Podstawowe zalety niskotemperaturowego-oczyszczania plazmowego

Skuteczne usuwanie LZO i gazów zapachowych

Szybki rozkład szkodliwych substancji zanieczyszczających

Silna zdolność utleniania

Połączenie technologii oczyszczania i adsorpcji

Niskie zużycie energii i ciągła praca

Nadaje się do zastosowań związanych z przemysłowym oczyszczaniem gazów odlotowych

Przyjazny dla środowiska i charakteryzujący się wysoką wydajnością oczyszczania